FCBGA簡介 | fcbga是什麼
覆晶技術搭配排列方正的球柵陣列(Ballgridarray,BGA)封裝製程,可以提供較好的電氣特性,並且大幅地提高接腳密度,降低雜訊的干擾,散熱性也較佳,還可縮小封裝尺寸,藉此符合高階產品和高性能的需求,所成為主流的封裝式。近年來,這種覆晶構裝技術在電腦科技和3C產品上運用得非常多,例如:CPU封裝ATi繪圖晶片等等,還有一些高階ASIC元件產品,皆可大量的看到。有別於傳統打線技術的封裝,覆晶技術架構大致分為四個部份:1. 基板:用來支撐上方之ICCHIP或印刷電路板。2. 晶片:主要是積體電路晶片(ICChip)。3. 錫鉛凸塊:主...
覆晶技術搭配排列方正的球柵陣列(Ball grid array,BGA)封裝製程,可以提供較好的電氣特性,並且大幅地提高接腳密度,降低雜訊的干擾,散熱性也較佳,還可縮小封裝尺寸,藉此符合高階產品和高性能的需求,所成為主流的封裝式。
近年來,這種覆晶構裝技術在電腦科技和3C產品上運用得非常多,例如: CPU封裝ATi繪圖晶片等等,還有一些高階ASIC元件產品,皆可大量的看到。有別於傳統打線技術的封裝,覆晶技術架構大致分為四個部份:
1. 基板:用來支撐上方之IC CHIP或印刷電路板。
2. 晶片:主要是積體電路晶片(IC Chip)。
3. 錫鉛凸塊:主要是連接晶片與基板之通訊橋樑,通常用
4. 填充底膠:填補晶片與基板間的空隙。
覆晶構裝技術主要的方法是將晶片正面朝下,讓晶片以上的錫鉛凸塊與基板直接連接著,以這當作訊號傳遞的途徑。其中錫鉛凸塊的製作技術廣泛,包括了電鍍、錫膏轉印等方式;且製作完成後得進行切割。
其中凸塊的材料受到今世界環保意識的影響,從早期的高含量錫鉛凸塊逐漸發展至今到廣泛推廣應用的無鉛凸
塊;無鉛凸塊材料主要是由錫、銀、銅、鉍等金屬合金組成,依不同比例組合能提供不同之材料性質,以符合不同的產品需求。
但是晶片和基板的熱膨脹係數差異不小,所以若只是靠著凸塊連接,這樣在受到溫度變化後,熱漲冷縮的效應會使得熱應力集中,造成錫鉛凸塊損壞以及造成晶片的損毀,導致電子元件的失效,為了解決錫球間的空隙,我們得填入低黏度、高流動性的膠才來緩和兩者間的差異,填補的方式以底膠填充為主,材料是以環氧樹脂加入二氧化矽混合而成。將著將底膠加入空隙部分,使得銲錫凸塊接點應力集中,藉此提高對熱疲勞的能力。
雖然用了許多方法來避免溫度的影響,但是溫度仍是電子元件能否承受的最大問題,因為覆晶構裝的封裝形式,可以提升電子元件的散熱特性,降低電子元件被燒毀的的風險,但由於晶片、銲錫凸塊與底膠填充、基板間的熱膨脹係數差異,受到溫度影響後,三層材料彼此還是會互相拉扯,使構裝體產生變形導致破壞,尤其在電子產品中,影響產品的可靠度。