晶圓 | 晶元光電wiki
經蝕刻(etch)製程處理後的晶圓晶圓(英語:Wafer)是半導體晶體圓形片的簡稱,其為圓柱狀半導體晶體的薄切片,用於積體電路製程中作為載體基片,以及製造太陽能電池;由於其形狀為圓形,故稱為晶圓。最常見的是矽晶圓,另有氮化鎵晶圓、碳化矽晶圓等;一般晶圓產量多為單晶矽圓片。晶圓是最常用的半導體材料,按其直徑分為3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規格,近來發展出12英寸甚至研發更大規格(14英吋、15英吋、16英吋、20英吋以上等)。晶圓越大,同一圓片上可生產的積體電路(integratedcircuit,IC)就越多,可降低成本;...
經蝕刻(etch)製程處理後的晶圓晶圓(英語:Wafer)是半導體晶體圓形片的簡稱,其為圓柱狀半導體晶體的薄切片,用於積體電路製程中作為載體基片,以及製造太陽能電池;由於其形狀為圓形,故稱為晶圓。最常見的是矽晶圓,另有氮化鎵晶圓、碳化矽晶圓等;一般晶圓產量多為單晶矽圓片。
晶圓是最常用的半導體材料,按其直徑分為3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規格,近來發展出12英寸甚至研發更大規格(14英吋、15英吋、16英吋、20英吋以上等)。晶圓越大,同一圓片上可生產的積體電路(integrated circuit, IC)就越多,可降低成本;但對材料技術和生產技術的要求更高,例如均勻度等等的問題,使得近年來晶圓不再追求更大,有些時候廠商會基於成本及良率等因素而停留在成熟的舊製程[1]。一般認為矽晶圓的直徑越大,代表著這座晶圓廠有更好的技術,在生產晶圓的過程當中,良品率是很重要的條件[2]。
製造過程[編輯] 柴可拉斯基法示意圖很簡單的說,首先由普通矽砂拉製提煉,經過溶解、提純、蒸餾一系列措施製成單晶矽棒,單晶矽棒經過切片、拋光之後,就得到了單晶矽圓片,也即單晶矽晶圓。
將二氧化矽礦石(石英砂)與焦炭混合後,經由電弧爐加熱還原,即生成粗矽(純度98%,冶金級)。SiO2 + C = Si + CO2 ↑ [3] 鹽酸氯化並經蒸餾後,製成了高純度的多晶矽(半導體級純度11個9,太陽能級7個9),因在精密電子元件當中,矽晶圓需要有相當的純度(99.999999999%),不然會產生缺陷。 晶圓製造廠再以柴可拉斯基法將此多晶矽熔解,再於溶液內摻入一小粒的矽晶體晶種,然後將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶矽晶棒,由於矽晶棒是由一顆小晶粒在融熔態的矽原料中逐漸生成,此過程稱為「長晶」。這根晶棒的直徑,就是晶圓的直徑。 矽晶棒再經過切片、研磨、拋光後,即成為積體電路工廠的基本原料——矽晶圓片,這就是「晶圓」(wafer)。 晶圓經多次光罩處理,其中每一次的步驟包括感光劑塗佈、曝光、顯影、腐蝕、滲透、植入、蝕刻或蒸著等等,將其光罩上的電路複製到層層晶圓上,製成具有多層線路與元件的IC晶圓,再交由後段的測試、切割、封裝廠,以製成實體的積體電路成品。一般來說,大晶圓(12吋)多是用來製作記憶體等技術層次較低的IC,而小晶圓(...取得本站獨家住宿推薦 15%OFF 訂房優惠
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